Preparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating
Abstrak: Lapisan tipis TiO2
doping Cu telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat kaca dengan teknik spin coating.
Lapisan tipis TiO2 : Cu dibuat dengan konsentrasi doping 1 hingga 10 wt.%
dengan suhu annealing 500 o C. Hasil analisis spektrum transmitansi pada daerah
UV-Vis menunjukkan bahwa lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan suhu annealing
500oC memiliki energy gap untuk transisi langsung sebesar 3,51-3,59
eV dan untuk transisi tidak langsung sebesar 3,26-3,57 eV. Energy gap paling
sempit yang dapat dicapai pada lapisan tipis TiO2 : Cu dengan suhu annealing
500oC adalah pada konsentrasi Cu 8%. Penggunaan doping Cu dapat
memperlebar spektrum serapan cahaya dari lapisan tipis TiO2 sehingga lapisan
tipis TiO2 : Cu dapat diaplikasikan sebagai anti pantulan pada sel surya.
Penulis: Vita Efelina
Kode Jurnal: jpfisikadd170131
