Variasi suhu Deposisi paDa struktur, sifat optik Dan Listrik fiLm tipis seng oksiDa Dengan Doping gaLium (Zno:ga)
Abstrak: Telah dilakukan
deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi
500 mtorr dengan metode DC-magnetron
sputtering. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325oC, 375oC, dan 425oC.
Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah
dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan
I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film
tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis
ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal
wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325o mempunyai kualitas
kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu
375o dan 425oC. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan
bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325oC mempunyai ukuran butir
yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi
375o dan 425oC. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325oC mencapai
transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat
diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai 1,74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1pada suhu deposisi 325oC.
Penulis: Sulhadi, Fatiatun, p.
marwoto, Sugianto, E. Wibowo
Kode Jurnal: jpfisikadd150433
