SIFAT OPTIK FILM TIPIS GAN YANG DIDEPOSISI DENGAN TEKNIK SPINCOATING DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE
Abstrak: Telah dilakukan studi
sifat optik film tipis Galium Nitrida (GaN) hasil deposisi dengan teknik
spincoating di atas substrat sapphire menggunakan sumber gel
gallium-citrate-amine dan gas Nitrogen. Sifat optik yang ditinjau mencakup
penentuan celah pita energi optik melalui pengukuran spektroskopi UV-Vis dan
spektrum fotoluminisensi pada suhu ruang (RT-PL). Hasil perhitungan dengan
menggunakan metode Tauc-Plot yang didasarkan data pengukuran spektroskopi
UV-Vis menghasilkan nilai celah pita energi optik film tipis GaN hasil deposisi
sekitar 3,46 eV. Sedangkan dari pengukuran spektrum PL pada suhu ruang
dihasilkan puncak intensitas spektrum PL untuk film tipis GaN terjadi pada
panjang gelombang eksitasi sekitar 3617 nm. Panjang gelombang eksitasi ini
bersesuaian dengan nilai celah pita energi (Eg) GaN sekitar 3,44 eV. FWHM dari
puncak intensitas spektrum PL nilainya bervariasi terhadap temperatur deposisi.
Dalam rentang temperatur deposisi yang digunakan, nilai FWHM puncak intensitas
spektrum PL nilainya makinkecil ketika temperatur deposisi ditingkatkan hingga
1223 K.
Penulis: Yuyu R. Tayubi, Andi
Suhandi
Kode Jurnal: jpfisikadd140788
