SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD VERTIKALMENGGUNAKAN TMGa AND TDMAAs
Abstrak: Telah dilakukan studi
eksperimen untuk meneliti pengaruh penggunaan sumber metalorganik baru yakni
trimethylgallium (TMGa) dan trisdimethylaminoarsenic (TDMAAs) yang dikombinasi
dengan variasi temperatur penumbuhan terhadap sifat optik film tipis GaAs yang
ditumbuhkan dengan teknik vertical-metalorganic chemical vapor depositions
(MOCVD-Vertikal) di atas substrat SI-GaAs. Pengukuran photoluminescence pada
suhu ruang (RT-PL) telah dilakukan untuk menginvestigasi sifat optik film tipis
GaAs hasil penumbuhan. Puncak spektrum PL pada suhu ruang untuk film tipis GaAs
di atas substrat SIGaAs terjadi pada panjang gelombang eksitasi sekitar 8725 Å.
Panjang gelombang eksitasi ini bersesuaian dengan nilai celah pita energi optik
(optical bandgap, Eg) GaAs hasil penumbuhan sekitar 1,43 eV. Puncak intensitas
spektrum PL nilainya bervariasi terhadap temperatur penumbuhan. Dalam rentang
temperatur penumbuhan yang digunakan dalam studi ini, puncak intensitas
spektrum PL tertinggi terjadi pada film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan
temperatur 580oC. Temperatur penumbuhan optimum ini lebih kecil dibanding
temperatur penumbuhan optimum untuk film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan
menggunakan sumber-sumber metalorganik konvensional. Hasil ini menunjukkan
keefektifan penggunaan TDMAAs dalam mereduksi temperatur untuk penumbuhan film
tipis GaAs dengan teknik MOCVD-Vertikal.
Penulis: Andi Suhandi1, Yuyu
R. Tayubi, Pepen Arifin
Kode Jurnal: jpfisikadd140787
