PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B)
ABSTRAK: Telah dilakukan
deposisi bahan Si:B pada permukaan substrat kaca dengan teknik plasma
sputtering DC. Deposisi dilakukan untuk
beberapa parameter proses yang meliputi: waktu
deposisi, tekanan gas dan suhu
substrat dengan tujuan
dapat diperoleh lapisan tipis
(a-Si:H:B) yang mempunyai konduktivitas yang memadai sebagai bahan sel
surya. Target adalah bahan silikon yang
telah dicampur boron dengan konsentrasi (0,1; 0,3; 0,5; 0,7) % berat. Variasi waktu deposisi adalah (0,5 - 2) jam,
tekanan gas (1,1 × 10-1 - 1,4 × 10-1) Torr dan suhu substrat (150–300) oC,
sedangkan gas reaktif hidrogen selama proses deposisi dibuat tetap sebesar 4
sccm. Pengukuran sifat listrik dilakukan
dengan probe empat titik, konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus
matematik. Hasil penelitian menunjukkan
bahwa resistansi terkecil sebesar R = 2,73 × 108 Ω, ini diperoleh pada kondisi
percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanan gas 1,4 × 10-1 Torr dan suhu substrat
200 oC. Dengan demikian dapat
disimpulkan bahwa parameter proses di atas merupakan parameter deposisi yang
optimum untuk pembuatan lapisan tipis (a-Si:H:B).
Penulis: Bambang Siswanto,
Wirjoadi, Sudjatmoko
Kode Jurnal: jpkimiadd050060
