KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA
ABSTRAK: Telah dideposisikan lapisan tipis a-Si:H:B pada
substrat kaca dengan menggunakan teknik plasma sputtering DC. Deposisi
dilakukan untuk beberapa parameter proses yang meliputi: waktu deposisi,
tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperoleh beberapa lapisan
tipis a-Si:H:B yang mempunyai sifat optik yang sesuai untuk bahan sel surya.
Variasi waktu deposisi (0,5 s/d 2 jam), tekanan gas (1,1 s.d 1,4×10-1 torr) dan
suhu substrat (150 s.d 300 oC), sedangkan aliran gas reaktif hidrogen
ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron
dengan konsentrasi (0,1, 0,3, 0,50, 0,7) % berat. Dari analisa sifat optik menggunakan
spektrofotometer UV-Vis diperoleh transmitansi
optik maksimum 47 % yang diperoleh pada panjang gelombang 700 nm. Koefisien serapan dan lebar energi gap untuk lapisan tipis a-Si:H:B
masing-masing sebesar 3,49×104 m-1 dan 1,77 eV.
Penulis: Bambang Siswanto, Wirjoadi,
Tri Mardji Atmono, Yunanto
Kode Jurnal: jpkimiadd060097
