Preparasi Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metode HWC-VHF-PECVD pada Variasi Daya rf
Abstrak: Metode Hot Wire Cell
Very High Frequency PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) adalah
metode pengembangan dari PECVD konvensional dan merupakan metode gabungan
antara VHF-PECVD dan HWC-PECVD. Pada metode ini diharapkan mendapatkan laju
deposisi yang tinggi, konduktivitas yang tinggi serta kandungan hidrogen yang
rendah. Lapisan tipis a-Si:H dideposisi dengan gas Silan (SiH4) 10% dalam gas
Hidrogen (H2) dan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 pada variasi
daya 10-50 Watt, temperatur substrat 275C, tekanan chamber 300 mTorr,
Temperatur filament 800 serta laju aliran gas SiH4 sebesar 70 sccm. Dalam
HWC-VHF-PECVD elemen pemanas terintegrasi pada sistem gas masukan serta
peningkatan frekuensi pembangkit daya rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz. Pada
parameter penumbuhan tersebut diharapkan mendapatkan lapisan tipis a-Si:H yang
lebih baik.
Penulis: Elang J.S dan Satwiko
S , T. Winata
Kode Jurnal: jpfisikadd090056
