PENGARUH ALIRAN GAS NITROGEN PADA KARAKTERISTIK LISTRIK FILM GAN YANG DITUMBUHAN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON (111) DENGAN TEKNIK SOL GEL SPINCOATING

Abstrak: Film tipis GaN telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Silikon (111) dengan teknik sol gel spincoating dengan variasi aliran gas nitrogen. Film GaN telah dikarakterisasi dengan menggunakan difraksi sinar-X, SEM dan karakteristik listrik. Hasil menunjukkan bahwa film memiliki struktur polikristal sedangkan dari karakterisasi listrik yaitu pengukuran resistivitas pada beberapa sampel film GaN dengan variasi laju aliran gas N2 menunjukan bahwa resistivitas listrik dari film mengalami penurunan apabila laju aliran gas N2 dinaikan.

Kata Kunci: GaN, sol gel spincoating, resistivitas

Penulis: Yuyu R.Tayubi, Dadi Rusdiana

Kode Jurnal: jpfisikadd100078

PENGARUH ALIRAN GAS NITROGEN PADA KARAKTERISTIK LISTRIK FILM GAN YANG DITUMBUHAN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON (111) DENGAN TEKNIK SOL GEL SPINCOATING

Artikel Terkait :