Optimasi Sifat-Sifat Fisis Lapisan Tipis a-SiGe:H dengan Metoda HW-Cell-PECVD
Abstrak: Metode Hot Wire Cell
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan
untuk menumbuhkan lapisan tipis amorf silikon germanium terhidrogenasi
(a-SiGe:H). Lapisan tipis a-SiGe:H ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 pada
temperatur filamen 800 0C. Campuran gas silan (SiH4) 10 % dalam gas hidrogen
(H2) dan german (GeH4) 10 % dalam gas hidrogen (H2) digunakan sebagai sumber
gas. Dalam metode hot wire cell PECVD, gas reaktan didekomposisi dengan filamen
tungsten panas yang diletakkan diluar kedua elektroda dan paralel dengan sistem
gas masukan. Dan ditumbuhkan juga dengan metoda PECVD (Plasma Enhanced Chemical
Vapor Deposition)sebagai pembanding. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwa
laju deposisi meningkat dari 0,31 ˙A/s sampai 1,31 ˙Å/s dengan meningkatnya
tekanan deposisi dari 200 sampai 500 mTorr. Celah pita optik meningkat dari
1,42 eV sampai 1,65 eV dengan meningkatnya meningkatnya tekanan deposisi dari
200 sampai 500 mTorr. Dengan sensitivitas penyinaran pada orde 105, lebih baik
dari metoda PECVD yang memiliki nilai maksimal 1.33x104.
Penulis: D. Adisaputra dan
Satwiko Sidopekso, T. Winata Laboratorium Fismatel
Kode Jurnal: jpfisikadd090047
