Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN
Abstrak: Mobilitas elekron
pada film tipis
GaN telah ditentukan
untuk variasi temperatur
dengan menggunakan metoda pendekatan
waktu relaksasi akibat pengaruh
hamburan defek statis dan vibrasi
termal. Dari hasil simulasi
menunjukan bahwa mobilitas
elektron sangat dipengaruhi
oleh temperature lingkungan,
kecuali untuk hamburan tipe impuritas netral yang tidak mempengaruhi
nilai mobilitas muatan pembawa meskipun temperatur eksternal divariasikan.
Penulis: Dadi Rusdiana, Lilik
Hasanah, dan Endi Suhendi
Kode Jurnal: jpfisikadd100044
