Perancangan Broadband RF Power Amplifier 2,3 GHz pada 4G LTE Time Division Duplex
Abstract: Makalah ini
menjelaskan tentang desain Broadband RF Power Amplifier 4G LTE yang beroperasi
pada frekuensi 2,3 GHz, sesuai dengan frekuensi kerja operator selular
Smartfren untuk BTS. RF Power Amplifier yang digunakan adalah penguat kelas A
dengan transistor jenis GaN HEMT tipe CREE CGH40120F. Rancangan ini
disimulasikan menggunakan program Power Advanced Design (ADS) versi 2014. Hasil
simulasi menunjukkan bahwa Power Amplifier dalam keadaan stabil (K>1) pada
frekuensi 2,3 GHz dengan S11 dan S22 match, menghasilkan output power 43,44 dBm
22,08 watt dengan penguatan 20,5 dB, return of loss <-5 dB, dan efisiensi
power supply maksimum sebesar 39.8%.
Penulis: Syifaul Fuada
Kode Jurnal: jptlisetrodd150557
