STUDI TENTANG PENGARUH TEMPERATUR SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR PbS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Abstrak: Penelitian ini
bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis PbS
menggunakan teknik vakum evaporasi dengan memvariasi temperatur substrat
untuk mengetahui pengaruhnya terhadap struktur kristal lapisan tipis PbS yang
dihasilkan. Penelitian ini juga mempelajari morfologi permukaan lapisan tipis
PbS serta komposisi kimia lapisan tipis PbS.
Proses preparasi lapisan tipis PbS dilakukan menggunakan teknik vakum
evaporasi yang bekerja pada tekanan 2x10-5 mbar dengan melakukan 3 variasi
temperatur substrat, yaitu 200oC, 350oC dan 500oC. Ketiga sampel lapisan tipis
PbS ini kemudian dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction), SEM
(Scanning Electron Microscopy) dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray)
untuk mengetahui struktur kristal, morfologi permukaan serta komposisi kimia.
Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis PbS yang
terbentuk merupakan polikristal dengan struktur kristal kubik. Nilai parameter
kisi sampel 1 (temperatur substrat 200oC) adalah 6,021 Å, sampel 2 (temperatur
substrat 350oC) adalah 5,973 Å dan sampel 3 (temperatur substrat 500oC) adalah
6,021 Å.Dari hasil difraktogram menunjukkan bahwa variasi temperatur substrat
menyebabkan adanya perbedaan intensitas puncak spektrum antara sampel 1, 2dan 3
yang menyatakan keteraturan susunan atom-atom penyusun lapisan tipis tersebut.
Hasil karakterisasi SEM menunjukkan morfologi permukaan yang terdiri atas
butiran/grain dengan ukuran 0,5 µm hingga 5 µm. Dan hasil karakterisasi EDAX,
menunjukkan persentase komposisi kimia lapisan tipis PbS dengan perbandingan
mol Pb:S adalah 1: 0,8.
Penulis: USWATUN HASANAH
Kode Jurnal: jpfisikadd150287
