STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR SnSe LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI
ABSTRAK: Penelitianinibertujuanuntukmengetahuistrukturkristal,
morfologipermukaan dankomposisi kimia lapisan tipis
SnSehasilpreparasidenganteknikvakumevaporasi.
Penelitianinijugabertujuanuntukmengetahuipengaruhvariasijarakpenyanggaatauspacerterhadapkualitaslapisan
tipis SnSe yang dihasilkan.Proses preparasi lapisan tipis SnSe menggunakan
metodevakum evaporasi pada tekanan 2 x 10-5 mbar danwaktudeposisi 2 menit.
Proses pendeposisianlapisan tipis
SnSedilakukandenganmemberikanvariasispacerantarasubstratdengansumber
berturut-turut 10 cm, 15 cm dan 25 cm. Proses karakterisasi dilakukan
menggunakan X-Ray Diffraction (XRD) untuk menentukan struktur kristallapisan
tipis, Scanning Electron Microscopy (SEM) untuk menentukan morfologi permukaan
lapisan tipisdan Energy Dispersive Analysis X-Ray EDAX) untuk menentukan
komposisikimia lapisan tipis.Hasilkarakterisasi
XRDmenunjukkanbahwakristalSnSesampel 2 dansampel 3 merupakan polikristal dan
memilikistrukturkristalorthorombik. Sedangkanuntuksampel 1 merupakanpolikristal
yang mempunyaistrukturbukanorthorombik. Kristal SnSesampel 1 memilikinilai
parameter kisi a= Å untuk jarak spacer 10 cm. Kristal SnSesampel 2
memilikinilai parameter kisi a= Å, b= Å, c= Å untukjarakspacer 15 cm. Kristal
SnSesampel 3 memilikinilai parameter kisi a= Å, b= Å, c= Å untukjarakspacer 25
cm. Kristal SnSehasilpreparasidenganvariasi spacer10 cm mempunyaikualitas yang
lebihbaikdibandingkankristaldenganvariasi
spacer 15 cmdan 25 cmditinjaudariintensitas dan nilai FWHM.
Hasilkarakterisasi SEM pada SnSemenunjukkanbahwamorfologipermukaankristalSnSe
yang terbentukcukupmerata.Hasilanalisis EDAX, kristalSnSemenunjukkanperbandinganpersentasekomposisikimialapisan
tipisyaitu1 :0,919.
Penulis: BAMBANG RIHATMOJO
Kode Jurnal: jpfisikadd150259
