STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se0,6S0,4) LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK BAHAN SEL SURYA

Abstrak: Penelitian ini bertujuan menumbuhkan lapisan tipis Sn(Se0,6S0,4) dengan teknik vakum evaporasi untuk mempelajari karakter lapisan tipis Sn(Se0,6S0,4) dengan karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi kimia. Preparasi dilakukan pada tekanan ~10-5 mbar dan memvariasi jarak sumber dengan substrat menggunakan spacer. Spacer divariasi sebanyak 2 kali, yaitu 10 cm dan 15 cm. Sampel dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia.Hasil menunjukkan ketiga sampel memiliki struktur kristal orthorhombik dengan parameter kisi sampel 1: a=4,296 Å; b=12,858 Å; c=4,308 Å, sampel2: a=4,297 Å; b=12,596 Å; c=4,289 Å. Permukaan lapisan tipis homogen yang terdiri atas butiran berukuran ~0,125 µm. Lapisan tipis mengandung unsur Sn, Se, dan S dengan persentase komposisi kimia Sn=13,83 %, Se=13,02 %, S=3,29 % dan perbandingan molaritas Sn:Se:S adalah 1:0,9:0,2.
Kata kunci: teknik evaporasi, lapisan tipis, semikonduktor Sn(Se0,6S0,4)
Penulis: FIKRI ZIKRI PARIPURNA
Kode Jurnal: jpfisikadd150266

Artikel Terkait :