Studi Sifat Termal Prekursor In (TMHD)3 Untuk Menumbuhkan Lapisan Tipis In2O3 dengan Teknik MOCVD
Abstrak: Penumbuhan lapisan
tipis In2O3 telah dilakukan
dengan teknik MOCVD.
Prekursor metal organic yang digunakan
adalah In(TMHD)3. Sifat termal bahan In(TMHD)3 telah diinvestigasi melalui
analisis kurva TG-DTA dan analisis
spektrum FTIR. Investigasi sifat
termal dibutuhkan untuk
menetapkan besaran-besaran parameter penumbuhan
yang akan digunakan
untuk menumbuhkan lapisan tipis
In2O3. Quarzt digunakan sebagai substrat
dimana lapisan tipis
In2O3 akan ditumbuhkan. Dari
hasil analisis kurva
TG-DTA dan spektrum FTIR
didapatkan bahwa: (1) serbuk In(TMHD)3 meleleh pada temperatur 175oC; (2)
In(TMHD)3mulai menguap pada
temperatur 184oC; (3)
In(TMHD)3 mengalami oksidasi parsial
di lingkungan Ar/atmosfer pada
temperatur 260oC. Dari
hasil analisis spektrum
FTIR didapatkan bahwa
disosiasi ligan TMHD dari
elemen metal In
secara sempurna berawal
pada temperatur 300oC sampai
400oC. Mengacu kepada
hasil-hasil tersebut, maka besaran
parameter penumbuhan ditetapkan sebagai
berikut: temperatur bubbler In(TMHD)3(Tb) = 200oC; tekanan
di dalam bubbler
(Pb) = 260
Torr; laju aliran
gas Ar untuk membawa
uap In(TMHD)3 = 50
sccm; laju aliran
gas O2 = 50
sccm; dan temperatur
substrat = 300oC. Dengan menggunakan
interval waktu penumbuhan
selama 120 menit,
lapisan tipis In2O3 tumbuh
dengan ketebalan sekitar 0,2
µm. Laju penumbuhan
diperoleh sekitar 1,6x10-3µm/menit. Dan
tingkat kekasaran permukaan
lapisan sekitar 70 nm.
Penulis: Horasdia
Saragih, Hasniah, Euis Sustini, dan Sukirno
Kode Jurnal: jpfisikadd100041
