PROSES LIFT OFF PADA PEMBUATAN DIVAIS SENSOR GAS CARBON MONOKSIDA (CO)
ABSTRAK: Tulisan ini
menjelaskan tahapan proses
pembuatan mikrodivais yang
akan digunakan sebagai platform
sensor gas CO
(karbon monoksida) berbasis
timah oksida (SnO2). Divais
yang dibuat telah
dirancang diatas substrat
silikon dengan daerah
aktif berukuran 3x3 mm2, dan terdiri dari bonding pad,
komponen pemanas (heater), elektroda, dan sensor temperatur. Lebar jalur
minimum adalah 50 mikron, sesuai dengan kemampuan proses fotolitografi yang
digunakan. Pembentukan struktur mikrodivais dilakukan terutama dengan menggunakan
teknik lift-off lapisan
platina (Pt) yang
dilapiskan menggunakan metode DC
sputtering dengan lapisan
alumunium (Al) sebagai
sacrificial layer, Dimensi chip
mikrodivais yang dihasilkan
berukuran 5 x
5 mm2. Pengujian yang
dilakukan untuk mengetahui karakteristik
resistansiterhadapsuhu dari mikrodivais
menunjukkan bahwa elemen pemanas
(heater) dan sensor
suhutelah berfungsi seperti
yang diharapkan, yaitu nilai resistansinya berubah secara
linear dengan kenaikan suhu substrat antara 20 – 200°C. Rentang kenaikan
nilai resistansi untuk
pemanas (heater) adalah
antara 500 –
1000 ohm, sedangkan untuk sensor
suhu antara 100 – 300 ohm.
Penulis: Slamet Widodo, Goib
Wiranto
Kode Jurnal: jpkimiadd140332
