PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS NiCoFe/Si SEBAGAI MATERIAL PEMBUATAN SENSOR GIANT MAGNETORESISTANCE (GMR)
ABSTRAK: Pada paper ini akan
dilaporkan optimasi waktu penumbuhan lapisan tipis (thin film) NiCoFe/Si `sebagai
material sensor berbasis Giant Magnetoresistance (GMR) menggunakan Reaktor
dc-Opposed Target Magnetron Sputttering (OTMS). Material GMR mempunyai
sifat-sifat magnetik dan elektrik yang sangat baik sehingga sangat berpotensi
untuk dikembangkan menjadi devais pengindera (sensor) medan magnet generasi
mendatang (next generation magnetic field sensing devices), seperti: sensor magnetik
medan lemah, sensor arus, sensor posisi
linier & rotasi, penyimpanan data (data storage), non-volatile magnetic
random access memory (MRAM), heads
recording dan spin valve
transistor. Sifat magnetik dan listrik
GMR selain ditentukan oleh jenis
material yang digunakan juga sangat ditentukan oleh ketebalan lapisan struktur
penyusunnya. Dari hasil pengukuran sampel menggunakan Scanning Electron
Microscope (SEM) untuk waktu deposisi
selama 30, 60 dan 90 menit diperoleh ketebalan
sampel berturut-turut adalah 0.30µm, 0.45µm dan 0.52µm.
Penulis: Mitra Djamal, Yulkifli
Kode Jurnal: jpfisikadd090006
