Mikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel
Abstrak: Film tipis
semikonduktor galium nitrida
(GaN) telah berhasil
dideposisi di atas
substrat Si(004) dengan metode
sol-gel. Gel dipreparasi
dari kristal gallium-citrate-amine. Kristal
ini dibentuk dari
larutan yang mengandung ion-ion
Ga+3dan asam sitrat (CA).
Gel di tempatkan di atas substrat dan kemudian
substrat tersebut diputar dengan
laju 1100 rpm.
Lapisan-lapisan gel yang
diperoleh kemudian ditempatkan
pada programmable furnace. Temperatur deposisi divariasi masing-masing
pada temperatur 800C, 900C, dan 1000C dalam lingkungan gas nitrogen
dalam rentang waktu
2 jam. Kualitas kristal
film tipis GaN
yang dihasilkan
dikarakterisasi melalui pengukuran
XRD. Morfologi permukaan
dan tampang lintang
film diobservasi melalui pencitraan
SEM, dan komposisi
film ditentukan melalui
karakterisasi EDX. Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa seluruh film
tipis GaN yang dideposisi di
atas substrat silikon memiliki orientasi polikristal. Kualitas
kristal film GaN yang terbentuk dipengaruhi oleh temperatur deposisi. Dalam rentang
temperatur deposisi yang digunakan, peningkatan temperatur deposisi dapat
meningkatkan kualitas kristal film GaN yang dideposisi.
Penulis: Heri Sutanto, Iis
Nurhasanah, Istadi, Maryanto, Wahyu Ambikawati, dan Nofi Marlini
Kode Jurnal: jpfisikadd100047
