Arus Terobosan Pada Transistor Dwikutub Struktur Hetero Si/Si1-xGex/Si Anisotropik Melewati Basis Tergradasi (Graded Base)
Abstrak: Arus terobosan
di transistor dwikutub
struktur hetero Si/Si1-xGex/Si anisotropik untuk
kondisi germanium pada basis
yang tidak konstan
dianalisis di sini.
Konsentrasi germanium pada
basis yang tidak
konstan akan mengakibatkan profil
potensial pada basis
tidak datar, melainkan
akan bertingkat sesuai
dengan konsentrasi
germaniumnya. Perhitungan arus
terobosan ini dilakukan
secara analitik dan
semi-numerik. Hasil
perhitungan yang diperoleh
kemudian dicocokan dengan
data eksperimen. Hasilnya
menunjukkan bahwa hasil perhitungan
analitik sama dengan
hasil perhitungan semi
numerik. Sedangkan perhitungan analitik sama dengan arus dari
data eksperimen hanya pada VBE 0,3
sampai dengan 0,6 V
Kata-Kata Kunci: Arus terobosan, konsentrasi germanium,
material anisotropik, metode
matriks transfer, transistor
dwikutub sambungan hetero
Penulis: Lilik Hasanah dan
Khairurrijal
Kode Jurnal: jpfisikadd100049
